LPDDR5X-RAM: 64-GByte-Speicherbausteine für Notebooks, Smartphones und mehr
Samsung geht bei der LPDDR5X-Generation in die Vollen und stapelt bis zu 32 Speicherlagen übereinander, was die Kapazität von 18 auf 64 GByte erhöht.
(Bild: Samsung)
Samsung hat den ersten LPDDR5X-Speicher angekündigt, der nicht nur deutlich schneller als bisheriges LPDDR5-RAM ist, sondern auch höhere Kapazitäten erreicht. So will Samsung bis zu 64 GByte in einem einzelnen Speicherbaustein unterbringen, der mit einer Frequenz von 4267 MHz (DDR5-8533) arbeitet.
LPDDR5 (ohne X) erreicht heute bis zu 3200 MHz (LPDDR5-6400), etwa in Apples neuen MacBooks Pro mit den Systems-on-Chips (SoCs) M1 Max und M1 Pro. Die Übertragungsrate an einem typischen 128-Bit-Interface steigt somit von rund 102 auf knapp 137 GByte/s. In den meisten anderen Geräten wie Smartphones und Valves Handheld-Konsole sitzt allerdings langsamerer LPDDR5-5500-Speicher.
Theoretisch könnten Smartphone-Hersteller künftig die 64 GByte riesigen Speicherbausteine verwenden, allerdings ist der Bedarf dort kaum gegeben. Interessanter wird es bei Notebooks, die bisher auf 32 GByte beschränkt sind, wenn man nicht gerade wie Apple auf ein 512 Bit breites Speicher-Interface setzt oder auf DDR4-Steckmodule zurückgreift. Als weitere Anwendungszwecke nennt Samsung in der eigenen Mitteilung (5G-)Edge-Server und Autos.
32 Speicherlagen
Für maximal 64 GByte Kapazität stapelt Samsung derweil bis zu 32 jeweils 16 Gigabit große Speicherlagen übereinander. Im Falle von LPDDR5 (ohne X) produziert Samsung maximal 16 GByte große Stapel mit acht Speicherlagen, Micron und SK Hynix kommen auf bis zu 18 GByte – entsprechende Bausteine setzt Asus im Rog Phone 5s ein. Zur internen Organisation der bis zu 64 GByte großen LPDDR5X-Bausteine schreibt Samsung nichts. Da nicht jede Speicherlage einen eigenen Kanal zur Anbindung an einen Prozessor erhält, liegt eine weiterentwickelte Logik nahe, die beim Schreiben alle einzelnen Speicherlagen abwechselnd anspricht.
Prinzipbedingt wird LPDDR5X-Speicher immer fest verlötet und nicht als Modulgesteckt. Ohne störende Steckfassungen und durch kurze Signalwege lassen sich die hohen Taktfrequenzen erreichen.
Ungewöhnlich offen ist Samsung hingegen beim Fertigungsverfahren: Anstatt nur von der "10-Nanometer-Klasse" zu schreiben, nennt der Hersteller explizit einen 14-nm-Prozess mit extrem-ultravioletter (EUV-)Belichtungstechnik – 1-alpha beziehungsweise 1a genannt.
(mma)